光學(xué)平臺(tái)產(chǎn)品及廠家
美nano-master rie反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng)nrr-4000 獨(dú)立式雙rie或icp刻蝕系統(tǒng)nre-4000 獨(dú)立式rie或icp系統(tǒng)nre-3000 臺(tái)式rie系統(tǒng)ndr-4000 深硅刻蝕系統(tǒng)
更新時(shí)間:2024-10-11
美nano-master 熱真空太空模擬系統(tǒng) ndt-4000,是一款器件測(cè)試系統(tǒng)，俗稱“熱真空系統(tǒng)”,可以用于真空和可控的均勻加熱以及冷卻循環(huán)條件下的器件或樣片測(cè)試。
更新時(shí)間:2024-10-11
jbx-8100fs 圓形電子束光刻系統(tǒng)· 最新高精密jbx-8100fs圓形電子束光刻系統(tǒng)，通過(guò)全方位的設(shè)計(jì)優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)更簡(jiǎn)便的操作，更快的刻寫速度，更小的占地面積和安裝空間，并且更加綠色節(jié)能。
更新時(shí)間:2024-10-11
美coherent excistarxs準(zhǔn)分子激光器超緊湊、輕型、高度可靠的紫外線光源
更新時(shí)間:2024-10-11
美coherent excistarxs準(zhǔn)分子激光器超緊湊、輕型、高度可靠的紫外線光源
更新時(shí)間:2024-10-11
nanoarch p130是科研3d打印系統(tǒng)，擁有2μm的超高打印精度和5μm的超低打印層厚，從而實(shí)現(xiàn)超高精度的樣件制作，非常適合高校和研究機(jī)構(gòu)用于科學(xué)研究及應(yīng)用創(chuàng)新。
更新時(shí)間:2024-10-11
the oai solar energy meter measures solar simulator irradiance in "sun" units, for example, with one sun equaling 1000 w/m2 at 25 °c at airmass 1.5 global conditions.
更新時(shí)間:2024-10-11
30型uv光源是高效的，可用于各種應(yīng)用。光由橢圓形反射器收集并聚焦在積分/聚光透鏡陣列上，以在曝光平面產(chǎn)生均勻的照明。這種紫外光源提供多種光束尺寸，最大24英寸平方，輸出光譜范圍從220 nm到450 nm，使用適當(dāng)?shù)臒簦òǎ］敵龉β史秶鷱?00瓦到5千瓦。所有oai uv光源都易于配備快速更換過(guò)濾器組件，使用戶能夠輕松定制輸出光譜。可選配遠(yuǎn)程排氣風(fēng)扇。
更新時(shí)間:2024-10-11
oai 200型光刻機(jī)是一種具有成本效益的高性能掩模對(duì)準(zhǔn)器，采用經(jīng)過(guò)行業(yè)驗(yàn)證的組件，使oai成為光刻設(shè)備行業(yè)的導(dǎo)者。 200型是臺(tái)式面罩對(duì)準(zhǔn)器，需要小的潔凈室空間。它為研發(fā)，或有限規(guī)模，試點(diǎn)生產(chǎn)提供了經(jīng)濟(jì)的替代方案。利用創(chuàng)新的空氣軸承/真空吸盤調(diào)平系統(tǒng)，襯底快速平穩(wěn)地平整，用于平行光掩模對(duì)準(zhǔn)和在接觸曝光期間在晶片上的均勻接觸。該系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)一微米分辨率和對(duì)準(zhǔn)精度。
更新時(shí)間:2024-10-11
2012sm型自動(dòng)邊緣曝光系統(tǒng)為使用標(biāo)準(zhǔn)陰影掩模技術(shù)的邊緣珠去除提供了一種經(jīng)濟(jì)高效的方法。 設(shè)計(jì)用于容納8“到300mm的晶片，該工具具有自動(dòng)foup裝載。 掩模和基材切換可以快速且容易地實(shí)現(xiàn)，從而增加該生產(chǎn)工具的通用性和高產(chǎn)量。
更新時(shí)間:2024-10-11
2012sm型自動(dòng)邊緣曝光系統(tǒng)為使用標(biāo)準(zhǔn)陰影掩模技術(shù)的邊緣珠去除提供了一種經(jīng)濟(jì)高效的方法。 設(shè)計(jì)用于容納8“到300mm的晶片，該工具具有自動(dòng)foup裝載。 掩模和基材切換可以快速且容易地實(shí)現(xiàn)，從而增加該生產(chǎn)工具的通用性和高產(chǎn)量。
更新時(shí)間:2024-10-11
兩種型號(hào)的2000型曝光系統(tǒng)包括uv光源，強(qiáng)度控制電源和機(jī)器人襯底處理子系統(tǒng)。 uv光源提供發(fā)散半角<2.0％的可調(diào)強(qiáng)度光束。電源從200w到2,000w。強(qiáng)度控制器傳感器直接連接到光源，用于精確的強(qiáng)度監(jiān)控。機(jī)器人襯底處理系統(tǒng)是微處理器控制的，并且可以被編程以適應(yīng)各種各樣的襯底尺寸。
更新時(shí)間:2024-10-11
oai 5000e型大面積掩光刻機(jī)是一種先進(jìn)的高性能，全自動(dòng)掩模對(duì)準(zhǔn)器和曝光工具，可為大型平板應(yīng)用提供超精密，頂，亞微米對(duì)準(zhǔn)和分辨率。 其靈活的設(shè)計(jì)允許在各種基材（圓形或方形）上印刷高達(dá)300mm或20“×20”。 曝光系統(tǒng)兼容近，中，或深紫外范圍的光刻膠，并具有計(jì)算機(jī)控制的led顯微鏡照明，在不太理想的觀察環(huán)境中觀察。
更新時(shí)間:2024-10-11
phabler 100 紫外光刻機(jī)是一套低成本的光學(xué)曝光系統(tǒng)，但卻能獲得高分辨率的周期性結(jié)構(gòu)。同傳統(tǒng)的紫外曝光機(jī)類似，涂覆了光刻膠的晶片以接近方式放置在掩膜版下面，被紫外光束照射。由于eulitha公司擁有突破性的phable 曝光技術(shù)，在"phable"模式下，分辨率不再受到衍射的限制，從而曝光出亞微米的線性光柵和二維光柵（六角形和正方形），且曝光結(jié)果非常均勻，質(zhì)量很好。
更新時(shí)間:2024-10-11
raith 150 two可實(shí)現(xiàn)亞5nm的曝光結(jié)構(gòu)，可處理8”晶元及以下樣片。環(huán)境屏蔽罩保證了系統(tǒng)的熱穩(wěn)定性，提高設(shè)備對(duì)實(shí)驗(yàn)室環(huán)境的容忍度，即使在相對(duì)糟糕的實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下，也能保證系統(tǒng)的正常穩(wěn)定運(yùn)行。
更新時(shí)間:2024-10-11
raith 150 two可實(shí)現(xiàn)亞5nm的曝光結(jié)構(gòu)，可處理8”晶元及以下樣片。環(huán)境屏蔽罩保證了系統(tǒng)的熱穩(wěn)定性，提高設(shè)備對(duì)實(shí)驗(yàn)室環(huán)境的容忍度，即使在相對(duì)糟糕的實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下，也能保證系統(tǒng)的正常穩(wěn)定運(yùn)行。
更新時(shí)間:2024-10-11
德國(guó)raith voyager 新一代超高分辨率電子束光刻機(jī),系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)8英寸樣品的高速曝光。系統(tǒng)的穩(wěn)定性是非常關(guān)鍵的指標(biāo)，可保證大面積均勻曝光。該系統(tǒng)外部采用環(huán)境屏蔽罩，即使在稍差的實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下，仍然能確保系統(tǒng)具有非常好的熱穩(wěn)定性，提高系統(tǒng)對(duì)外界環(huán)境的容忍度。
更新時(shí)間:2024-10-11
ebpg5150使用了155mm大小的樣品臺(tái)，采用跟ebpg5200一樣的通用光刻平臺(tái)設(shè)計(jì)，對(duì)電子束直寫應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。它可以載入不同大小的樣品,包括多片散片以及完整的硅片。
更新時(shí)間:2024-10-11
系統(tǒng)中集成了高精度的激光干涉工作臺(tái)，運(yùn)動(dòng)行程為50 x 50 x 25mm，xy方向定位精度為2nm，可以實(shí)現(xiàn)精確的拼接套刻，拼接套刻精度≤50nm。
更新時(shí)間:2024-10-11
瑞典 mycronic 掩膜版光刻機(jī) fps6100，用于制作高精度掩膜版，廣泛用于半導(dǎo)體，tft-lcd，微電子等行業(yè)。
更新時(shí)間:2024-10-11
日本rion氣體粒子計(jì)數(shù)器：ka-03( 光散射方式）,多點(diǎn)監(jiān)視用粒子計(jì)數(shù)器，測(cè)試粒徑（5個(gè)通道）：≥0.3μm ， ≥0.5μm ，≥1μm ， ≥2μm ，≥5μm ，大粒子數(shù)濃度：140 000 000顆/l （誤差值低于10%）
更新時(shí)間:2024-10-11
日本rion氣體粒子計(jì)數(shù)器：ka-82( 光散射方式）,多點(diǎn)監(jiān)視用粒子計(jì)數(shù)器，測(cè)試粒徑（5個(gè)通道）：≥0.1μm ， ≥0.15μm， ≥0.2μm ， ≥0.3μm ， ≥0.5μm ，大粒子數(shù)濃度：10 000顆/l （誤差值低于5%）
更新時(shí)間:2024-10-11
玻璃去油墨設(shè)備,采用訂制紫外納激光器對(duì)玻璃表面進(jìn)行去油墨以及油墨微加工， 將產(chǎn)品損傷降至低。
更新時(shí)間:2024-10-11
oai 800型光學(xué)正面和背面光刻機(jī)系統(tǒng), 是半自動(dòng),four-camera、光學(xué)正面和背面光刻機(jī)。它提供其精確的(1碌m - 2 m碌)對(duì)準(zhǔn)精度,旨在大大超過(guò)任何紅外背后對(duì)準(zhǔn)器性能的一個(gè)非常有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格。通用模型800光刻機(jī)是理想的用于低產(chǎn)量、研發(fā)實(shí)驗(yàn)室和大學(xué)。
更新時(shí)間:2024-10-11
瑞士nanofrazor 3d納米結(jié)構(gòu)高速直寫機(jī)，源于發(fā)明stm和afm的ibm蘇黎世研發(fā)中心，是其在納米加工技術(shù)的新研究成果。nanofrazor納米3d結(jié)構(gòu)直寫機(jī)第 一次將納米尺度下的3d結(jié)構(gòu)直寫工藝快速化、穩(wěn)定化。
更新時(shí)間:2024-10-11
opticool超精準(zhǔn)全開放強(qiáng)磁場(chǎng)低溫光學(xué)研究平臺(tái)，系統(tǒng)擁有3.8英寸超大樣品腔、雙錐型劈裂磁體，可在超大空間為您提供高達(dá)±7t的磁場(chǎng)。多達(dá)7個(gè)側(cè)面窗口、1個(gè)頂部超大窗口方便光線由各個(gè)方向引入樣品腔，高度集成式的設(shè)計(jì)讓您的樣品在擁有低溫磁場(chǎng)的同時(shí)擺脫大型低溫系統(tǒng)的各種束縛。
更新時(shí)間:2024-10-11
attoafm/attomfm/attoshpm 低溫強(qiáng)磁場(chǎng)原子力/磁力/掃描霍爾顯微鏡，采用模塊化的設(shè)計(jì)。利用標(biāo)配的控制器和樣品掃描臺(tái)，用戶僅需要更換掃描頭和對(duì)應(yīng)的光學(xué)部件即可實(shí)現(xiàn)不同功能之間的切換。
更新時(shí)間:2024-10-11
德國(guó)sentech光伏測(cè)量?jī)xmdpmap，靈活的自動(dòng)掃描系統(tǒng)，是專為半導(dǎo)體晶片或部分工藝過(guò)的晶片的多功能、非接觸和少子壽命測(cè)量而設(shè)計(jì)的。mdpmap能夠連續(xù)地改變激發(fā)脈沖寬度，從非常短的脈沖(100ns)到穩(wěn)態(tài)測(cè)量(幾ms)，研究不同深度的缺陷動(dòng)力學(xué)和少子壽命特性。直觀的繪圖軟件適用于有效的常規(guī)測(cè)量以及復(fù)雜的研發(fā)應(yīng)用。
更新時(shí)間:2024-10-11
100s接觸角測(cè)量?jī)x是采用光學(xué)成像的原理，通過(guò)圖像輪廓分析方式測(cè)量樣品表面接觸角、潤(rùn)濕性能、表界面張力、表面能等性能，設(shè)備性價(jià)比高、功能全面、可滿足各種常規(guī)測(cè)量需要。
更新時(shí)間:2024-10-11
德國(guó)kruss標(biāo)準(zhǔn)型dsa25接觸角測(cè)量?jī)x，接觸角測(cè)量范圍：0-180，接觸角測(cè)量精度：±0.10，表界面張力測(cè)量范圍：0-1000mn/m；測(cè)量精度：0.01 mn/m
更新時(shí)間:2024-10-11
ure-2000 系列紫外單面光刻機(jī)此系列包含六種型號(hào)：ure-2000a,ure-2000b,ure-2000/35,ure-2000/35a,ure-2000/25,ure-2000/17
更新時(shí)間:2024-10-11
ure-2000s 系列雙面光刻機(jī)，對(duì)準(zhǔn)精度：±2 mm（雙面,片厚 0.8mm），±0.8mm（單面）
更新時(shí)間:2024-10-11
ure-2000b 型紫外單面光刻機(jī)，曝光面積：100mmx100mm，分辨力：0.8μm（膠厚 2μm 的正膠）
更新時(shí)間:2024-10-11
ure-2000/600 紫外單面光刻機(jī)，光束口徑： 650mm×650mm，對(duì)準(zhǔn)精度： ±1.5μm
更新時(shí)間:2024-10-11
ds-2000/14k 無(wú)掩膜單面光刻機(jī)，采用 dmd 作為數(shù)字掩模，像素?cái)?shù) 1024×768，采用 14 倍縮小投影光刻物鏡成像。
更新時(shí)間:2024-10-11
ds-2000/14g 型無(wú)掩模單面光刻機(jī),采用 dmd 作為數(shù)字掩模，像素?cái)?shù) 1024×768 或 1920×1080 或 25601600 三種選配,采用縮小投影光刻物鏡成像，分辨力 1um。
更新時(shí)間:2024-10-11
ure-2000/35a 型紫外單面光刻機(jī),,非常適合工廠（效率高，操作傻瓜型，全自動(dòng)）和高校教學(xué)科研（可靠性好，演示方便）采用自動(dòng)找平，具備真空接觸曝光、硬接觸曝、壓力接觸曝以及接近式曝光四種功能，自動(dòng)分離對(duì)準(zhǔn)間隙和消除曝光間隙，采用 350w 進(jìn)口（德國(guó)）直流汞燈，可調(diào)節(jié)光的能量密度。設(shè)備外形美觀精制，性能非常可靠，自動(dòng)化程度很高，操作十分方便。
更新時(shí)間:2024-10-11
ure-2000/35 型紫外單面光刻機(jī),非常適合工廠（效率高，操作傻瓜型，自動(dòng)化程度高）和高校教學(xué)科研（可靠性好，演示方便）采用自動(dòng)找平，具備真空接觸曝光、硬接觸曝、壓力接觸曝以及接近式曝光四種功能，自動(dòng)分離對(duì)準(zhǔn)間隙和消除曝光間隙，采用 350w 進(jìn)口（德國(guó)）直流汞燈，可調(diào)節(jié)光的能量密度。設(shè)備外形美觀精制，性能非常可靠，自動(dòng)化程度很高，操作十分方便。
更新時(shí)間:2024-10-11
ure-2000/35l 型紫外單面光刻機(jī),曝光面積：100mm×100mm；分辨力：1.0 μm（膠厚 2.0 μm 的正膠，365nm 波長(zhǎng)）
更新時(shí)間:2024-10-11
ure-2000/17 型紫外單面光刻機(jī)（臺(tái)式）,曝光面積：4 英寸,分辨力：1.5μm（膠厚 2 m 的正膠）,對(duì)準(zhǔn)精度：±1μm
更新時(shí)間:2024-10-11
ure-2000/25 型紫外單面光刻機(jī)，曝光面積：4 英寸,分辨力：1 μm（膠厚 2 μm的正膠）,對(duì)準(zhǔn)精度：± 0.8μm
更新時(shí)間:2024-10-11
ure-2000s/25a 型紫外雙面光刻機(jī)，曝光面積：6 英寸，分辨力：1 μm
更新時(shí)間:2024-10-11
ure-2000s/25 型紫外雙面光刻機(jī)，曝光面積：4 英寸，正面對(duì)準(zhǔn)采用雙目雙視場(chǎng)對(duì)準(zhǔn)顯微鏡：既可通過(guò)目鏡目視對(duì)準(zhǔn)，也可通過(guò) ccd+顯示器對(duì)準(zhǔn)，光學(xué)合像，光學(xué)大倍數(shù) 400 倍，光學(xué)+電子放大 800 倍
更新時(shí)間:2024-10-11
ure-2000s/b 型紫外雙面光刻機(jī),曝光面積：6 英寸，對(duì)準(zhǔn)精度：± 2μm （雙面,片厚 0.8mm），± 0.8μm （單面）
更新時(shí)間:2024-10-11
ure-2000s/a8 型紫外雙面光刻機(jī), 曝光面積：8 英寸, 曝光波長(zhǎng)：365nm： 15mw/cm，405nm：15-30mw/cm2, 對(duì)準(zhǔn)精度：±2 μm （雙面,片厚 0.8mm）±0.8 μm （單面）
更新時(shí)間:2024-10-11
ure-2000s/25s 型雙面光刻機(jī)，曝光面積：4 英寸（或 6 英寸），正面對(duì)準(zhǔn)采用雙目雙視場(chǎng)對(duì)準(zhǔn)顯微鏡：既可通過(guò)目鏡目視對(duì)準(zhǔn)，也可通過(guò) ccd+顯示器對(duì)準(zhǔn)，光學(xué)合像，光學(xué)大倍數(shù) 400 倍，光學(xué)+電子放大 800 倍
更新時(shí)間:2024-10-11
ure-2000s/35l（a）型紫外雙面光刻機(jī)，曝光面積：6 英寸，正面對(duì)準(zhǔn)采用雙目雙視場(chǎng)對(duì)準(zhǔn)顯微鏡：既可通過(guò)目鏡目視對(duì)準(zhǔn)，也可通過(guò) ccd+顯示器對(duì)準(zhǔn)，光學(xué)合像，光學(xué)大倍數(shù) 400 倍，光學(xué)+電子放大 800 倍
更新時(shí)間:2024-10-11
ure-2000s/35l（b）型雙面光刻機(jī), 曝光面積：4 英寸, 正面對(duì)準(zhǔn)采用雙目雙視場(chǎng)對(duì)準(zhǔn)顯微鏡：既可通過(guò)目鏡目視對(duì)準(zhǔn)，也可通過(guò) ccd+顯示器對(duì)準(zhǔn)，光學(xué)合像，光學(xué) 大倍數(shù) 400 倍，光學(xué)+電子放大 800 倍
更新時(shí)間:2024-10-11
ure-2000/30 型紫外單面光刻機(jī),高倍率雙目雙視場(chǎng)顯微鏡和 22 英寸寬屏液晶顯示同時(shí)觀察對(duì)準(zhǔn)過(guò)程，并提供 usb 輸出；既滿足高精度對(duì)準(zhǔn)，又可用于檢測(cè)曝光結(jié)果，且曝光結(jié)果和方便存儲(chǔ)
更新時(shí)間:2024-10-11
最新產(chǎn)品
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- Rat ACTH(Adrenocorticotropic Hormone) ELISA Kit 2024/10/13 16:18:20
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