光學平臺產品及廠家
nanoarch p130是科研3d打印系統(tǒng)，擁有2μm的超高打印精度和5μm的超低打印層厚，從而實現(xiàn)超高精度的樣件制作，非常適合高校和研究機構用于科學研究及應用創(chuàng)新。
更新時間:2024-10-11
the oai solar energy meter measures solar simulator irradiance in "sun" units, for example, with one sun equaling 1000 w/m2 at 25 °c at airmass 1.5 global conditions.
更新時間:2024-10-11
30型uv光源是高效的，可用于各種應用。光由橢圓形反射器收集并聚焦在積分/聚光透鏡陣列上，以在曝光平面產生均勻的照明。這種紫外光源提供多種光束尺寸，最大24英寸平方，輸出光譜范圍從220 nm到450 nm，使用適當?shù)臒簦òǎ］敵龉β史秶鷱?00瓦到5千瓦。所有oai uv光源都易于配備快速更換過濾器組件，使用戶能夠輕松定制輸出光譜。可選配遠程排氣風扇。
更新時間:2024-10-11
oai 200型光刻機是一種具有成本效益的高性能掩模對準器，采用經過行業(yè)驗證的組件，使oai成為光刻設備行業(yè)的導者。 200型是臺式面罩對準器，需要小的潔凈室空間。它為研發(fā)，或有限規(guī)模，試點生產提供了經濟的替代方案。利用創(chuàng)新的空氣軸承/真空吸盤調平系統(tǒng)，襯底快速平穩(wěn)地平整，用于平行光掩模對準和在接觸曝光期間在晶片上的均勻接觸。該系統(tǒng)能夠實現(xiàn)一微米分辨率和對準精度。
更新時間:2024-10-11
2012sm型自動邊緣曝光系統(tǒng)為使用標準陰影掩模技術的邊緣珠去除提供了一種經濟高效的方法。 設計用于容納8“到300mm的晶片，該工具具有自動foup裝載。 掩模和基材切換可以快速且容易地實現(xiàn)，從而增加該生產工具的通用性和高產量。
更新時間:2024-10-11
2012sm型自動邊緣曝光系統(tǒng)為使用標準陰影掩模技術的邊緣珠去除提供了一種經濟高效的方法。 設計用于容納8“到300mm的晶片，該工具具有自動foup裝載。 掩模和基材切換可以快速且容易地實現(xiàn)，從而增加該生產工具的通用性和高產量。
更新時間:2024-10-11
兩種型號的2000型曝光系統(tǒng)包括uv光源，強度控制電源和機器人襯底處理子系統(tǒng)。 uv光源提供發(fā)散半角<2.0％的可調強度光束。電源從200w到2,000w。強度控制器傳感器直接連接到光源，用于精確的強度監(jiān)控。機器人襯底處理系統(tǒng)是微處理器控制的，并且可以被編程以適應各種各樣的襯底尺寸。
更新時間:2024-10-11
oai 5000e型大面積掩光刻機是一種先進的高性能，全自動掩模對準器和曝光工具，可為大型平板應用提供超精密，頂，亞微米對準和分辨率。 其靈活的設計允許在各種基材（圓形或方形）上印刷高達300mm或20“×20”。 曝光系統(tǒng)兼容近，中，或深紫外范圍的光刻膠，并具有計算機控制的led顯微鏡照明，在不太理想的觀察環(huán)境中觀察。
更新時間:2024-10-11
phabler 100 紫外光刻機是一套低成本的光學曝光系統(tǒng)，但卻能獲得高分辨率的周期性結構。同傳統(tǒng)的紫外曝光機類似，涂覆了光刻膠的晶片以接近方式放置在掩膜版下面，被紫外光束照射。由于eulitha公司擁有突破性的phable 曝光技術，在"phable"模式下，分辨率不再受到衍射的限制，從而曝光出亞微米的線性光柵和二維光柵（六角形和正方形），且曝光結果非常均勻，質量很好。
更新時間:2024-10-11
raith 150 two可實現(xiàn)亞5nm的曝光結構，可處理8”晶元及以下樣片。環(huán)境屏蔽罩保證了系統(tǒng)的熱穩(wěn)定性，提高設備對實驗室環(huán)境的容忍度，即使在相對糟糕的實驗室環(huán)境下，也能保證系統(tǒng)的正常穩(wěn)定運行。
更新時間:2024-10-11
raith 150 two可實現(xiàn)亞5nm的曝光結構，可處理8”晶元及以下樣片。環(huán)境屏蔽罩保證了系統(tǒng)的熱穩(wěn)定性，提高設備對實驗室環(huán)境的容忍度，即使在相對糟糕的實驗室環(huán)境下，也能保證系統(tǒng)的正常穩(wěn)定運行。
更新時間:2024-10-11
德國raith voyager 新一代超高分辨率電子束光刻機,系統(tǒng)可實現(xiàn)8英寸樣品的高速曝光。系統(tǒng)的穩(wěn)定性是非常關鍵的指標，可保證大面積均勻曝光。該系統(tǒng)外部采用環(huán)境屏蔽罩，即使在稍差的實驗室環(huán)境下，仍然能確保系統(tǒng)具有非常好的熱穩(wěn)定性，提高系統(tǒng)對外界環(huán)境的容忍度。
更新時間:2024-10-11
ebpg5150使用了155mm大小的樣品臺，采用跟ebpg5200一樣的通用光刻平臺設計，對電子束直寫應用進行了優(yōu)化。它可以載入不同大小的樣品,包括多片散片以及完整的硅片。
更新時間:2024-10-11
系統(tǒng)中集成了高精度的激光干涉工作臺，運動行程為50 x 50 x 25mm，xy方向定位精度為2nm，可以實現(xiàn)精確的拼接套刻，拼接套刻精度≤50nm。
更新時間:2024-10-11
瑞典 mycronic 掩膜版光刻機 fps6100，用于制作高精度掩膜版，廣泛用于半導體，tft-lcd，微電子等行業(yè)。
更新時間:2024-10-11
日本rion氣體粒子計數(shù)器：ka-03( 光散射方式）,多點監(jiān)視用粒子計數(shù)器，測試粒徑（5個通道）：≥0.3μm ， ≥0.5μm ，≥1μm ， ≥2μm ，≥5μm ，大粒子數(shù)濃度：140 000 000顆/l （誤差值低于10%）
更新時間:2024-10-11
日本rion氣體粒子計數(shù)器：ka-82( 光散射方式）,多點監(jiān)視用粒子計數(shù)器，測試粒徑（5個通道）：≥0.1μm ， ≥0.15μm， ≥0.2μm ， ≥0.3μm ， ≥0.5μm ，大粒子數(shù)濃度：10 000顆/l （誤差值低于5%）
更新時間:2024-10-11
玻璃去油墨設備,采用訂制紫外納激光器對玻璃表面進行去油墨以及油墨微加工， 將產品損傷降至低。
更新時間:2024-10-11
oai 800型光學正面和背面光刻機系統(tǒng), 是半自動,four-camera、光學正面和背面光刻機。它提供其精確的(1碌m - 2 m碌)對準精度,旨在大大超過任何紅外背后對準器性能的一個非常有競爭力的價格。通用模型800光刻機是理想的用于低產量、研發(fā)實驗室和大學。
更新時間:2024-10-11
瑞士nanofrazor 3d納米結構高速直寫機，源于發(fā)明stm和afm的ibm蘇黎世研發(fā)中心，是其在納米加工技術的新研究成果。nanofrazor納米3d結構直寫機第 一次將納米尺度下的3d結構直寫工藝快速化、穩(wěn)定化。
更新時間:2024-10-11
opticool超精準全開放強磁場低溫光學研究平臺，系統(tǒng)擁有3.8英寸超大樣品腔、雙錐型劈裂磁體，可在超大空間為您提供高達±7t的磁場。多達7個側面窗口、1個頂部超大窗口方便光線由各個方向引入樣品腔，高度集成式的設計讓您的樣品在擁有低溫磁場的同時擺脫大型低溫系統(tǒng)的各種束縛。
更新時間:2024-10-11
attoafm/attomfm/attoshpm 低溫強磁場原子力/磁力/掃描霍爾顯微鏡，采用模塊化的設計。利用標配的控制器和樣品掃描臺，用戶僅需要更換掃描頭和對應的光學部件即可實現(xiàn)不同功能之間的切換。
更新時間:2024-10-11
德國sentech光伏測量儀mdpmap，靈活的自動掃描系統(tǒng)，是專為半導體晶片或部分工藝過的晶片的多功能、非接觸和少子壽命測量而設計的。mdpmap能夠連續(xù)地改變激發(fā)脈沖寬度，從非常短的脈沖(100ns)到穩(wěn)態(tài)測量(幾ms)，研究不同深度的缺陷動力學和少子壽命特性。直觀的繪圖軟件適用于有效的常規(guī)測量以及復雜的研發(fā)應用。
更新時間:2024-10-11
100s接觸角測量儀是采用光學成像的原理，通過圖像輪廓分析方式測量樣品表面接觸角、潤濕性能、表界面張力、表面能等性能，設備性價比高、功能全面、可滿足各種常規(guī)測量需要。
更新時間:2024-10-11
德國kruss標準型dsa25接觸角測量儀，接觸角測量范圍：0-180，接觸角測量精度：±0.10，表界面張力測量范圍：0-1000mn/m；測量精度：0.01 mn/m
更新時間:2024-10-11
ure-2000 系列紫外單面光刻機此系列包含六種型號：ure-2000a,ure-2000b,ure-2000/35,ure-2000/35a,ure-2000/25,ure-2000/17
更新時間:2024-10-11
ds-2000/14k 無掩膜單面光刻機，采用 dmd 作為數(shù)字掩模，像素數(shù) 1024×768，采用 14 倍縮小投影光刻物鏡成像。
更新時間:2024-10-11
ds-2000/14g 型無掩模單面光刻機,采用 dmd 作為數(shù)字掩模，像素數(shù) 1024×768 或 1920×1080 或 25601600 三種選配,采用縮小投影光刻物鏡成像，分辨力 1um。
更新時間:2024-10-11
ure-2000/35a 型紫外單面光刻機,,非常適合工廠（效率高，操作傻瓜型，全自動）和高校教學科研（可靠性好，演示方便）采用自動找平，具備真空接觸曝光、硬接觸曝、壓力接觸曝以及接近式曝光四種功能，自動分離對準間隙和消除曝光間隙，采用 350w 進口（德國）直流汞燈，可調節(jié)光的能量密度。設備外形美觀精制，性能非常可靠，自動化程度很高，操作十分方便。
更新時間:2024-10-11
ure-2000/35 型紫外單面光刻機,非常適合工廠（效率高，操作傻瓜型，自動化程度高）和高校教學科研（可靠性好，演示方便）采用自動找平，具備真空接觸曝光、硬接觸曝、壓力接觸曝以及接近式曝光四種功能，自動分離對準間隙和消除曝光間隙，采用 350w 進口（德國）直流汞燈，可調節(jié)光的能量密度。設備外形美觀精制，性能非常可靠，自動化程度很高，操作十分方便。
更新時間:2024-10-11
ure-2000/35l 型紫外單面光刻機,曝光面積：100mm×100mm；分辨力：1.0 μm（膠厚 2.0 μm 的正膠，365nm 波長）
更新時間:2024-10-11
ure-2000/17 型紫外單面光刻機（臺式）,曝光面積：4 英寸,分辨力：1.5μm（膠厚 2 m 的正膠）,對準精度：±1μm
更新時間:2024-10-11
ure-2000/25 型紫外單面光刻機，曝光面積：4 英寸,分辨力：1 μm（膠厚 2 μm的正膠）,對準精度：± 0.8μm
更新時間:2024-10-11
ure-2000s/25 型紫外雙面光刻機，曝光面積：4 英寸，正面對準采用雙目雙視場對準顯微鏡：既可通過目鏡目視對準，也可通過 ccd+顯示器對準，光學合像，光學大倍數(shù) 400 倍，光學+電子放大 800 倍
更新時間:2024-10-11
ure-2000s/b 型紫外雙面光刻機,曝光面積：6 英寸，對準精度：± 2μm （雙面,片厚 0.8mm），± 0.8μm （單面）
更新時間:2024-10-11
ure-2000s/a8 型紫外雙面光刻機, 曝光面積：8 英寸, 曝光波長：365nm： 15mw/cm，405nm：15-30mw/cm2, 對準精度：±2 μm （雙面,片厚 0.8mm）±0.8 μm （單面）
更新時間:2024-10-11
ure-2000s/25s 型雙面光刻機，曝光面積：4 英寸（或 6 英寸），正面對準采用雙目雙視場對準顯微鏡：既可通過目鏡目視對準，也可通過 ccd+顯示器對準，光學合像，光學大倍數(shù) 400 倍，光學+電子放大 800 倍
更新時間:2024-10-11
ure-2000s/35l（a）型紫外雙面光刻機，曝光面積：6 英寸，正面對準采用雙目雙視場對準顯微鏡：既可通過目鏡目視對準，也可通過 ccd+顯示器對準，光學合像，光學大倍數(shù) 400 倍，光學+電子放大 800 倍
更新時間:2024-10-11
ure-2000s/35l（b）型雙面光刻機, 曝光面積：4 英寸, 正面對準采用雙目雙視場對準顯微鏡：既可通過目鏡目視對準，也可通過 ccd+顯示器對準，光學合像，光學 大倍數(shù) 400 倍，光學+電子放大 800 倍
更新時間:2024-10-11
ure-2000/30 型紫外單面光刻機,高倍率雙目雙視場顯微鏡和 22 英寸寬屏液晶顯示同時觀察對準過程，并提供 usb 輸出；既滿足高精度對準，又可用于檢測曝光結果，且曝光結果和方便存儲
更新時間:2024-10-11
ure-2000/35al 型紫外單面光刻機,曝光面積：150mm×150mm；分辨力：1.0μm（365nm 波長）,對準精度：≤±0.8μm
更新時間:2024-10-11
美國 oai 光刻機 model 200 型桌面掩模對準器系統(tǒng)，完全手工操作，輸出光譜范圍:hg: g(436海里),h(405海里),i(365nm)和310nm線，hg-xe: 260nm和220nm或led: 365nm, 395nm, 405nm
更新時間:2024-10-11
oai model 212型桌面掩模對準系統(tǒng), 輸出光譜范圍:hg: g(436nm),h(405nm),i(365nm)和310nm,hg-xe: 260 nm和220 nm或led:365 nm、395 nm和405 nm
更新時間:2024-10-11
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