欧美日韩精品在线视频,日韩欧美一级视频,伊人精品视频直播

等離子體刻蝕設備產品及廠家

SENTECH SI 500 CCPRIE等離子刻蝕系統(tǒng)

sentech si 500 ccp 系統(tǒng)使用動態(tài)溫度控制和氦背冷卻，代表了材料蝕刻靈活性的優(yōu)勢。等離子體蝕刻過程中的襯底溫度設置和穩(wěn)定性是高質量蝕刻的嚴格標準。具有動態(tài)溫度控制功能的襯底電與氦氣背面冷卻和晶圓背面溫度傳感相結合，可在很寬的溫度范圍內提供出色的工藝條件。

更新時間:2024-08-14

該公司產品分類：深圳市矢量科學儀器有限公司

SENTECH SI 591等離子刻蝕系統(tǒng)RIE

sentech si 591 緊湊型 rie 等離子蝕刻系統(tǒng)具有負載鎖定功能，是氯基和氟基 rie 的緊湊型解決方案。具有出色的工藝可重復性和等離子蝕刻工藝靈活性，這得益于真空負載鎖定和由計算機控制的等離子體蝕刻工藝條件。靈活性、模塊化和小尺寸是 sentech si 591 compact 的設計特點。可以裝載直徑達 200 mm 的樣品和載體。該系統(tǒng)可以配置為穿墻操作或具有多種選項的小占地

更新時間:2024-08-14

該公司產品分類：深圳市矢量科學儀器有限公司

SENTECH Etchlab 200 RIERIE等離子蝕刻系統(tǒng)

sentech etchlab 200 rie等離子蝕刻系統(tǒng)代表了一系列直接加載等離子體蝕刻系統(tǒng)，結合了rie平行板電設計的優(yōu)點和直接負載的成本效益設計。

更新時間:2024-08-14

該公司產品分類：深圳市矢量科學儀器有限公司

SENTECH SI 500 C低溫ICP-RIE等離子體刻蝕系統(tǒng)

sentech si 500 c 低溫 icp-rie 等離子體蝕刻系統(tǒng)代表了電感耦合等離子體（icp）處理的沿技術，其寬溫度范圍為 -150 °c 至 150 °c。該工具包括 icp 等離子體源 ptsa、一個動態(tài)溫控基板電、一個受控的真空系統(tǒng)和一個非常易于操作的用戶界面。靈活性和模塊化是設計特點。該系統(tǒng)可以配置為處理各種精細結si, sio2, si3n4, gaas和inp

更新時間:2024-08-14

該公司產品分類：深圳市矢量科學儀器有限公司

LMEC-30012英寸特種金屬膜層刻蝕設備

lmec-300™ 是魯汶儀器針對特種金屬膜層刻蝕而推出的 12 英寸集成設備，應用于新興存儲器件的制備。此類器件的核心功能單元含有成分復雜的金屬疊層，例如磁存儲器的磁隧道節(jié)（mtj）、相

更新時間:2024-08-14

該公司產品分類：深圳市矢量科學儀器有限公司

Pangea® A 系列12英寸離子束塑形（IBS) 設備

pangea®a系列常規(guī)ibs設備由離子源柵引出正離子并加速，中性束流撞擊樣品表面，濺射形成刻蝕圖像。由于等離子體的產生遠離晶圓空間，起輝不受非揮發(fā)性副產物的影響。這種物理方案，幾乎可以用來刻蝕任何固體材料，包括金屬、合金、氧化物、化合物、混合材料、半導體、絕緣體等。柵網拉出的離子束的能量和密度可以獨立控制，提升了工藝可控性。

更新時間:2024-08-14

該公司產品分類：深圳市矢量科學儀器有限公司

Lorem® A 系列8英寸離子束塑形（IBS）設備

lorem® a 系列常規(guī) ibs 設備，由離子源柵引出正離子并加速，中性束流撞擊樣品表面，濺射形成刻蝕圖像。由于等離子體的產生遠離晶圓空間，起輝不受非揮發(fā)性副產物的影響。這種物理方案，幾

更新時間:2024-08-14

該公司產品分類：深圳市矢量科學儀器有限公司

Herent® Chimera® A12英寸硬掩膜刻蝕設備

herent® chimera® a 金屬硬掩膜刻蝕設備，為針對 12 英寸 ic 產業(yè)的后道銅互連中氮化鈦（tin）金屬硬掩膜刻蝕（metal hardmask open）這一

更新時間:2024-08-14

該公司產品分類：深圳市矢量科學儀器有限公司

Herent® Chimera® M12英寸金屬刻蝕設備

herent® chimera® m 金屬刻蝕設備，為針對12英寸ic產業(yè)0.18微米以下后道高密度鋁導線互連工藝所開發(fā)的用產品，同時也可應用于鋁墊（al pad）刻蝕。該設備承襲了 chimera® a 的先進設計理念，具有出色的均勻性調控手段，可以為客戶提供高性價比的解決方案。

更新時間:2024-08-14

該公司產品分類：深圳市矢量科學儀器有限公司

Tebaank® Pishow® P8英寸硅刻蝕設備

tebaank® pishow® p 硅刻蝕設備是面向8英寸集成電路制造的量產型設備設備由電感耦合等離子體刻蝕腔（icp etch chamber）以及傳輸模塊（transfer module）構成適用于0.11微米及其它技術代的多晶硅柵（poly gate）、側墻（spacer）、淺溝槽隔離（sti）工藝

更新時間:2024-08-14

該公司產品分類：深圳市矢量科學儀器有限公司

Kessel® Pishow® M8英寸金屬刻蝕設備

kessel™ pishow® m 金屬刻蝕設備為可用于8英寸的ic產線鋁金屬工藝的量產型機臺，基于自有開發(fā)的優(yōu)化設計，保證了優(yōu)異的刻蝕均勻性（片內<8%，片間<5%）和顆粒控制。在4微米厚鋁刻蝕工藝中，可以提供8000片/月的產能。

更新時間:2024-08-14

該公司產品分類：深圳市矢量科學儀器有限公司

Pishow® A 系列8英寸電感耦合等離子體刻蝕（ICP）設備

詳細介紹icp是一種加工微納結構的等離子刻蝕技術。具有刻蝕快、選擇比高、各項異性高、刻蝕損傷小、均勻性好、斷面輪廓可控性高、刻蝕表面平整度高等優(yōu)點。目被廣泛應用于si、sio2、sinx、金屬、iii-v族化合物等材料的刻蝕。可應用于大規(guī)模集成電路、mems、光波導、光電子器件等域中各種微結構的制作。

更新時間:2024-08-14

該公司產品分類：深圳市矢量科學儀器有限公司

Pishow® D 系列8英寸電感耦合等離子體-深硅刻蝕設備

pishow® d 系列深刻蝕設備，是針對8英寸~6英寸產線或科研深硅刻蝕工藝的用設備，擁有自主開發(fā)的優(yōu)化設計，保證了優(yōu)異的刻蝕精度控制和損傷控制。提供si bosch工藝的解決方案。該設備高性價比的解決方案和優(yōu)秀的空間利用率，可幫助不同客戶實現產能升。

更新時間:2024-08-14

該公司產品分類：深圳市矢量科學儀器有限公司

Haasrode® Avior® A電容耦合等離子體刻蝕（CCP）設備

ccp腔室適用于制造微納結構的等離子刻蝕技術。在反應離子刻蝕過程中，等離子體中會包含大量的活性粒子，與表面原子產生化學反應，生成可揮發(fā)產物后，隨真空抽氣系統(tǒng)排出。魯汶儀器的 haasrode® avior® a 在性價比和空間利用率上優(yōu)點突出，可提供各種不同材料的刻蝕解決方案。

更新時間:2024-08-14

該公司產品分類：深圳市矢量科學儀器有限公司